开发新的纳米技术和半导体设备的成本不菲，但对业界创新构成了巨大障碍。但是美国商务部国家标准与技术研究所(NIST)与Google合作研发和生产相关芯片的技术巨头GOOGLE研发amp签订了d合同。合同指出，谷歌将承担建立生产的初期费用。

　　NIST是一个合作项目，包括密歇根大学、马里兰大学、乔治 华盛顿大学、布朗大学、卡内基

　　有趣的是，这种电路设计将成为开源，使学术和中小企业研究人员能够不受限制地轻松使用相关芯片。

　　谷歌公共部门首席执行官Will Grannis说：

　　Google在开源领域具有长期的领导地位，向开源框架的转换不仅促进了可重用性，而且有助于公共和私营机构的研究者重复彼此的工作，给纳米技术和半导体研究带来创新的民主化。场效应管(MOSFET)


　　一开始，这些芯片的成本达到了几十万美元，所以只有大企业在努力引领创新。但是随着合作的不断扩大，芯片价格预计会大幅降低，届时成本将不再是大学和初创研究者的入门障碍。三极管(BJT)


　　美国商务部标准与技术副部长、NIST董事Laurie E. Locascio解释说：

　　R & amp通过在d领域创造新的、低成本的国内芯片供应，这种合作旨在发挥全国研究者和初创企业的创新潜力。结型场效应管(JFET)


　　这是政府、业界和学术研究人员通过共同努力加强美国在这一重要产业中的领导地位的一个很好的例子。

　　据悉，现代微电子设备普遍采用堆叠组装——，半导体芯片处于最底层，此次合作致力于制造更先进的底层芯片。

　　Skywater技术由明尼苏达 Bloomington 200mm晶圆厂生产的该芯片具有特殊的结构，用于测量和测试放置在顶部的零部件的性能。

　　而且，其他大学和买家可以在自己的加工设施中将水晶园切割成数千个单独的芯片。

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